Pamięć Samsung DDR4, 8 GB, 3200MHz, CL22 (M378A1K43EB2-CWE)

Moduł pamięci RAM DDR4 Samsung M378A1K43EB2-CWE o pojemności 8 GB i prędkości 3200 MHz to solidne rozwiązanie dla komputerów osobistych oraz serwerów, które zapewnia wyższą wydajność i stabilność pracy.

• Pojemność 8 GB umożliwia płynne działanie wielu aplikacji jednocześnie, co jest istotne dla użytkowników wymagających dużej mocy obliczeniowej.
• Prędkość 3200 MHz zapewnia szybki transfer danych, co przekłada się na lepszą responsywność systemu i krótszy czas ładowania aplikacji.
• Opóźnienie CAS wynoszące 22 przyczynia się do niższej latencji, co zwiększa wydajność w porównaniu do standardowych modułów pamięci.
• Format 288-pin DIMM zapewnia szeroką kompatybilność z różnymi płytami głównymi, co ułatwia instalację w różnych konfiguracjach komputerowych.
• Napięcie robocze 1.2 V jest standardem dla pamięci DDR4, co przekłada się na efektywność energetyczną i stabilność pracy modułu.

Moduł pamięci DDR4 Samsung 8 GB 3200MHz CL22 – Wydajność na najwyższym poziomie

Moduł pamięci RAM DDR4 Samsung M378A1K43EB2-CWE o pojemności 8 GB i prędkości 3200 MHz to znakomity wybór dla tych, którzy cenią sobie wydajność oraz niezawodność w swoich komputerach osobistych i serwerach. Dzięki niskim opóźnieniom CAS wynoszącym 22, ten moduł pamięci umożliwia szybszy dostęp do danych, co przekłada się na lepszą ogólną wydajność systemu.

Dlaczego warto wybrać pamięć RAM DDR4?

Pamięć DDR4 to nowoczesny standard, który zapewnia wyższą prędkość oraz efektywność w porównaniu do starszych wersji pamięci. Zwiększona prędkość zegara do 3200 MHz oraz niższe opóźnienia czynią ją idealnym rozwiązaniem dla graczy, profesjonalistów oraz wszystkich, którzy potrzebują stabilnego i szybkiego działania swojego komputera.

Kluczowe cechy modułu M378A1K43EB2-CWE

• Pojemność: 8 GB
• Prędkość: 3200 MHz
• Opóźnienie CAS: 22
• Typ pamięci: DDR4
• Rodzaj opakowania: OEM

Niezawodność i stabilność – pamięć bez bufora

Moduł M378A1K43EB2-CWE jest pamięcią niebuforowaną (unbuffered), co oznacza, że nie zawiera dodatkowych układów buforujących. Taki projekt przyczynia się do niższej latencji, co jest kluczowe dla osiągnięcia maksymalnej wydajności w zastosowaniach wymagających dużej przepustowości.

Wydajność energetyczna – napięcie 1.2 V

Napięcie robocze modułu wynoszące 1.2 V jest standardem dla pamięci DDR4, co zapewnia optymalną wydajność energetyczną. Dzięki temu moduł nie tylko działa efektywnie, ale także przyczynia się do zmniejszenia zużycia energii w systemie.

Kompatybilność z komputerami stacjonarnymi

Moduł pamięci RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE jest kompatybilny z szeroką gamą płyt głównych, co czyni go idealnym wyborem do różnych konfiguracji komputerowych. Dzięki formatowi 288-pin DIMM, instalacja jest prosta i szybka.

Wymiary i organizacja chipów – 288-pin UDIMM

Moduł ma kompaktowe wymiary: długość 30 mm, szerokość 135 mm i wysokość 2 mm, co sprawia, że jest łatwy do zainstalowania w większości obudów komputerowych. Organizacja chipów 1Rx8 zapewnia optymalną wydajność i stabilność działania.

Specyfikacja techniczna modułu pamięci DDR4 Samsung 8 GB 3200MHz CL22

• Producent: Samsung
• Typ pamięci: DDR4
• Pojemność pamięci: 8 GB
• Opóźnienie CAS: 22
• Rodzaj opakowania: OEM
• Rodzaj pamięci: 288-pin UDIMM
• Napięcie pamięci: 1.2 V
• Prędkość zegara pamięci: 3200 MHz
• Organizacja chipów: 1Rx8
• Układ pamięci (moduły x rozmiar): 1 x 8 GB
• Przeznaczenie: PC/serwer
• Szerokość: 135 mm
• Długość: 30 mm
• Wysokość: 2 mm
• Typ pamięci buforowanej: Nie zarejestrowana (unbuffered)
• Ustawienie trybu: 1024M x 8
• Kolor: zielony
• Certyfikaty zgodności: CE

Podnieś wydajność swojego komputera i ciesz się lepszymi osiągami dzięki pamięci RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE!